參數(shù)資料
型號: MT41J128M16HA-107:D
元件分類: DRAM
英文描述: 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96
封裝: 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
文件頁數(shù): 199/210頁
文件大?。?/td> 12448K
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Table 57: Electrical Characteristics and AC Operating Conditions for Speed Extensions (Continued)
Notes 1–8 apply to the entire table
Parameter
Symbol
DDR3-1866
Units
Notes
Min
Max
DQ Strobe Input Timing
DQS, DQS# rising to CK, CK# rising
tDQSS
–0.27
0.27
CK
DQS, DQS# differential input low pulse width
tDQSL
0.45
0.55
CK
DQS, DQS# differential input high pulse width
tDQSH
0.45
0.55
CK
DQS, DQS# falling setup to CK, CK# rising
tDSS
0.18
CK
DQS, DQS# falling hold from CK, CK# rising
tDSH
0.18
CK
DQS, DQS# differential WRITE preamble
tWPRE
0.9
CK
DQS, DQS# differential WRITE postamble
tWPST
0.3
CK
DQ Strobe Output Timing
DQS, DQS# rising to/from rising CK, CK#
tDQSCK
–195
195
ps
DQS, DQS# rising to/from rising CK, CK# when DLL is disabled
tDQSCK
DLL_DIS
1
10
ns
DQS, DQS# differential output high time
tQSH
0.40
CK
DQS, DQS# differential output low time
tQSL
0.40
CK
DQS, DQS# Low-Z time (RL - 1)
tLZ (DQS)
–390
195
ps
DQS, DQS# High-Z time (RL + BL/2)
tHZ (DQS)
195
ps
DQS, DQS# differential READ preamble
tRPRE
0.9
Note 24
CK
DQS, DQS# differential READ postamble
tRPST
0.3
Note 27
CK
Command and Address Timing
DLL locking time
tDLLK
512
CK
CTRL, CMD, ADDR
setup to CK,CK#
Base (specification)
tIS
AC175
65
ps
VREF @ 1 V/ns
200
ps
CTRL, CMD, ADDR
setup to CK,CK#
Base (specification)
tIS
AC150
150
ps
VREF @ 1 V/ns
275
ps
CTRL, CMD, ADDR hold from CK,CK#
Base (specification)
tIH
DC100
100
ps
VREF @ 1 V/ns
200
ps
Minimum CTRL, CMD, ADDR pulse width
tIPW
535
ps
ACTIVATE to internal READ or WRITE delay
tRCD
(page 74) for tRCD
ns
PRECHARGE command period
tRP
(page 74) for tRP
ns
2Gb:
x4,
x8,
x16
DDR3
SDRAM
Electrical
Characteristics
and
AC
Operating
Conditions
PDF:
09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf
Rev.
K
04/10
EN
89
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