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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT41J128M16HA-107:D |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 165/210頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 12448K |
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RTT 40Ω is made up of RTT40(PD80) and RTT40(PU80)
RTT 30Ω is made up of RTT30(PD60) and RTT30(PU60)
RTT 20Ω is made up of RTT20(PD40) and RTT20(PU40)
Table 33: RTT Effective Impedances
MR1
[9, 6, 2]
RTT
Resistor
VOUT
Min
Nom
Max
Units
0, 1, 0
120Ω
RTT120(PD240)
0.2 × VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/1
0.5 × VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/1
0.8 × VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/1
RTT120(PU240)
0.2 × VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/1
0.5 × VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/1
0.8 × VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/1
120Ω
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/2
0, 0, 1
60Ω
RTT60(PD120)
0.2 × VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/2
0.5 × VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/2
0.8 × VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/2
RTT60(PU120)
0.2 × VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/2
0.5 × VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/2
0.8 × VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/2
60Ω
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/4
0, 1, 1
40Ω
RTT40(PD80)
0.2 × VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/3
0.5 × VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/3
0.8 × VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/3
RTT40(PU80)
0.2 × VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/3
0.5 × VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/3
0.8 × VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/3
40Ω
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/6
1, 0, 1
30Ω
RTT30(PD60)
0.2 × VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/4
0.5 × VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/4
0.8 × VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/4
RTT30(PU60)
0.2 × VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/4
0.5 × VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/4
0.8 × VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/4
30Ω
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/8
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
ODT Characteristics
PDF: 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf – Rev. K 04/10 EN
58
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