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參數(shù)資料
| 型號： | MT41J128M16HA-107:D |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 |
| 封裝： | 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件頁數(shù)： | 122/210頁 |
| 文件大?。?/td> | 12448K |
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Figure 120: Transition Period for Short CKE LOW Cycles with Entry and Exit Period Overlapping
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Ta0
Ta1
Ta2
Ta3
Ta4
CK
CK#
CKE
Command
Don’t Care
Transitioning
tXPDLL
tRFC (MIN)
NOP
REF
NOP
PDE transition period
PDX transition period
Indicates a break in
time scale
tANPD
Short CKE low transition period (R TT change asynchronous or synchronous)
tANPD
Note: 1. AL = 0, WL = 5, tANPD = 4.
2Gb:
x4,
x8,
x16
DDR3
SDRAM
PDF:
09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf
–
Rev.
K
04/10
EN
208
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Technology,
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without
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2006
Micron
Technology,
Inc.
All
rights
reserved.
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PDF描述 |
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