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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256324F-20 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的] |
| 文件頁數(shù)： | 70/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-20 |
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HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
70
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
4.8
Termination IV Characteristic at 60 Ohms
Figure 55
represents the DQ termination Pull-Up IV characteristic under process, voltage and temperature best
and worst case conditions. The actual DQ termination Pull-Up current must lie between these two bounding
curves. The value of the external ZQ resistor is 240
,
setting the nominal DQ termination impedance to 60
.
(Extended Mode Register programmed to ZQ/4).
Figure 55
60 Ohm Active Termination Characteristic
Table 38
lists the numerical values of the minimum and maximum allowed values of the output driver termination
IV characteristic.
Table 38
Voltage (V)
Programmed Terminator Characterisitc at 60 Ohm
Terminator Pull-Up Current
(mA)
Minimum
Maximum
Voltage (V)
Terminator Pull-Up Current
(mA)
Minimum
-13.27
-14.23
-15.14
-16.04
-16.94
-17.82
-18.70
-19.58
-
-
Maximum
-18.11
-19.45
-20.83
-22.00
-23.33
-24.67
-26.09
-27.50
-28.86
-30.15
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
-1.63
-3.19
-4.69
-6.12
-7.49
-8.78
-10.01
-11.16
-12.25
-2.18
-4.28
-6.30
-8.25
-10.11
-11.89
-13.58
-15.19
-16.69
/HM 4ERMINATION #HARACTERSTICS
6$$1
6OUT 6
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256324F-22 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256400AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160A-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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