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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256324F-20 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的] |
| 文件頁數(shù)： | 54/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-20 |
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HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Functional Description
Data Sheet
54
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
3.8.6
Read followed by Precharge on the same Bank
Figure 37
Read followed by Precharge on the same Bank
1.
t
RAS
requirement must also be met before issuing PRE command
2. RD and PRE commands are applied to the same bank.
3. Shown with nominal
t
AC
and
t
DQSQ
4. RDQS will start driving high 1/2 cycle prior to the first falling edge and stop 1/2 cycle after the last rising edge
of RDQS
#,+
#,+
2$
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#OM
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02%
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!DDR
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./0 OR $ESELECT
#OM
!DDR
#OMMAND
!DDRESS " #
$1S 4ERMINATIONS OFF
2$13 .OT DRIVEN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256324F-22 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256400AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160A-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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