- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370782 > HYB18T256324F-20 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256324F-20 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的] |
| 文件頁數(shù)： | 66/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-20 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁當(dāng)前第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁
HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
66
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
4.2
Recommended Power & DC Operation Conditions.
All values are recommended operating conditions unless otherwise noted.
T
c
= 0 to 85
°
C.
(0°C
≤
T
C
≤
+85°C,
V
DD
= +2.0 V ± 0.10 V,
V
DDQ
= +2.0 V ± 0.10 V, see
Table 1
)
Table 33
Parameter
Power & DC Operation Conditions
Symbol Speed
sort
Limit Values
min.
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
0.72*
V
DDQ
0.73*
V
DDQ
0.74*
V
DDQ
V
0.72*
V
DDQ
0.73*
V
DDQ
0.74*
V
DDQ
0.72*
V
DDQ
0.73*
V
DDQ
0.74*
V
DDQ
Unit Notes
typ.
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
max.
2.1
2.1
2.1
2.1
2.1
2.1
Power Supply Voltage
V
DD
–1.6
–2.0
–2.2
–1.6
–2.0
–2.2
–1.6
–2.0
–2.2
V
V
V
V
V
V
1)
1)
V
DDQ
tracks with
V
DD
. AC parameters are measured with
V
DD
and
V
DDQ
tied together.
2)
V
REF
is allowed ± 19mV for DC error and an additionnal ± 28mV for AC noise.
3)
V
is expected to equal 73% of
V
for the transmitting device and to track variations in the DC level of the
same. Peak-to-peak noise on
V
REF
may not exceed ±2%
V
REF
(DC). Thus, from 73% of
V
DDQ.
4)
I
IL
and
I
OL
are measured with ODT disabled.
1)
1)
Power Supply Voltage for I/O Buffer
V
DDQ
1)
1)
1)
Reference Voltage
V
REF
2)
2)3)
2)3)
Output Low Voltage
Input leakage current
CLK Input leakage current
Output leakage current
V
OL(DC)
I
IL
I
ILC
I
OL
0.4*
V
DDQ
+5
+5
+5
V
μ
A
μ
A
μ
A
–5
–5
–5
4)
4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256324F-22 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256400AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160A-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。