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參數(shù)資料
| 型號： | AM42BDS6408G |
| 英文描述： | 250NS, PGA, 883C; LEV B FULLY COMPLIANT(EEPROM) |
| 中文描述： | Am42BDS6408G -堆疊式多芯片封裝（MCP）閃存和SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 43/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 1080K |
| 代理商： | AM42BDS6408G |
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42
Am42BDS6408G
November 1, 2002
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. Figure shows total number of wait states set to four cycles. The total number of wait states can be programmed from two
cycles to seven cycles. Clock is set for active falling edge.
2. If any burst address occurs at a 64-word boundary, one additional clock cycle is inserted, and is indicated by RDY.
3. The device is in synchronous mode.
4. A17 = 0.
Figure 12.
CLK Synchronous Burst Mode Read
(Falling Active Clock)
Da
Da + 1
Da + n
OE#
DQ15
-
DQ0
A21
-
A0
Aa
AVD#
RDY
CLK
CE#
t
CES
t
ACS
t
AVC
t
AVD
t
ACH
t
OE
t
OEZ
t
CEZ
t
IACC
t
ACC
t
BDH
4 cycles for initial access shown.
t
RACC
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
1
2
3
4
5
t
RDYS
t
BACC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM42DL16X2D | 150NS, CERDIP, 883C; LEV B COMPLIANT(EEPROM) |
| AM42DL16X4D | 150NS, PLCC, IND TEMP(EEPROM) |
| AM42DL32X4G | 150NS, 32LCC, 883C; LEV B COMPLIANT(EEPROM) |
| AM42DL6402G | 150NS, SOIC, IND TEMP(EEPROM) |
| AM42DL6404G | 64 Mbit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS and 4 Mbit (256 K x 16-Bit) Static RAM (Preliminary) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM42BDS6408GBD8IT | 制造商:Spansion 功能描述:COMBO 4MX16 FLASH + 512KX16 SRAM 1.8V 93FBGA - Tape and Reel |
| AM42BDS6408GTD8I | 制造商:Spansion 功能描述:Combo Mem 4Mx16 Flash + 512Kx16 SRAM 1.8V 93-Pin FBGA |
| AM42BDS6408H | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory, and 8 Mbit (512 K x 16-Bit) SRAM |
| AM42BDS6408HD3I | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory, and 8 Mbit (512 K x 16-Bit) SRAM |
| AM42BDS6408HD4I | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory, and 8 Mbit (512 K x 16-Bit) SRAM |
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