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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM42BDS6408G |
| 英文描述： | 250NS, PGA, 883C; LEV B FULLY COMPLIANT(EEPROM) |
| 中文描述： | Am42BDS6408G -堆疊式多芯片封裝（MCP）閃存和SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 42/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 1080K |
| 代理商： | AM42BDS6408G |
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November 1, 2002
Am42BDS6408G
41
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. Figure shows total number of wait states set to seven cycles. The total number of wait states can be programmed from two
cycles to seven cycles.
2. If any burst address occurs at a 64-word boundary, one additional clock cycle is inserted, and is indicated by RDY.
3. The device is in synchronous mode.
Figure 11.
CLK Synchronous Burst Mode Read
(rising active CLK)
Da
Da + 1
Da + n
OE#
DQ15
-
DQ0
A21
-
A0
Aa
AVD#
RDY
CLK
CE#
t
CES
t
ACS
t
AVC
t
AVD
t
ACH
t
OE
t
RACC
t
OEZ
t
CEZ
t
IACC
t
ACC
t
BDH
7 cycles for initial access shown.
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
1
2
3
4
5
6
7
t
RDYS
t
BACC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM42DL16X2D | 150NS, CERDIP, 883C; LEV B COMPLIANT(EEPROM) |
| AM42DL16X4D | 150NS, PLCC, IND TEMP(EEPROM) |
| AM42DL32X4G | 150NS, 32LCC, 883C; LEV B COMPLIANT(EEPROM) |
| AM42DL6402G | 150NS, SOIC, IND TEMP(EEPROM) |
| AM42DL6404G | 64 Mbit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS and 4 Mbit (256 K x 16-Bit) Static RAM (Preliminary) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM42BDS6408GBD8IT | 制造商:Spansion 功能描述:COMBO 4MX16 FLASH + 512KX16 SRAM 1.8V 93FBGA - Tape and Reel |
| AM42BDS6408GTD8I | 制造商:Spansion 功能描述:Combo Mem 4Mx16 Flash + 512Kx16 SRAM 1.8V 93-Pin FBGA |
| AM42BDS6408H | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory, and 8 Mbit (512 K x 16-Bit) SRAM |
| AM42BDS6408HD3I | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory, and 8 Mbit (512 K x 16-Bit) SRAM |
| AM42BDS6408HD4I | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory, and 8 Mbit (512 K x 16-Bit) SRAM |
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