參數(shù)資料
型號: 28F1604C3
廠商: Intel Corp.
英文描述: 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器)
中文描述: 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器(3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器)
文件頁數(shù): 55/64頁
文件大?。?/td> 927K
代理商: 28F1604C3
28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
Preliminary
49
B.6
Device Geometry Definition
n
Table 17. Device Geometry Definition
Offset
Length
Description
Code
See Table Below
27h
28h
1
2
“n” such that device size = 2
n
in number of bytes
Flash device interface: x8 async x16 async x8/x16 async
28:00,29:00 28:01,29:00 28:02,29:00
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
27:
28:
29:
2A:
2B:
--01
--00
--00
--00
x16
2Ah
2
0
2Ch
1
Number of erase block regions within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in “bulk”
2. x specifies the number of device or partition regions with one or
more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
4. Partition size = (total blocks) x (individual block size)
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2C:
--02
2
2Dh
4
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
Device Geometry Definition
Address
16 Mbit
32 Mbit
–B
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--1E
--00
--00
--01
–T
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--1E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–B
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--3E
--00
--00
--01
–T
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--3E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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28F320S3 3 V、32MB FlashFile Memory(3 V、32M位FlashFile 存儲器)
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參數(shù)描述
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