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參數(shù)資料
| 型號： | 28F1604C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 36/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 927K |
| 代理商： | 28F1604C3 |
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28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
30
Preliminary
4.10
SRAM AC Characteristics—Write Operations
(1, 2)
NOTES:
1. See
Figure 10, “AC Waveform: SRAM Write Operations” on page 31
.
2. A write occurs during the overlap (t
WP
) of low S-CS
1
# and low S-WE#. A write begins when S-CS
1
# goes low
and S-WE# goes low with asserting S-UB# or S-LB# for single byte operation or simultaneously asserting
S-UB# and S-LB# for double byte operation. A write ends at the earliest transition when S-CS
1
# goes high
and S-WE# goes high. The t
WP
is measured from the beginning of write to the end of write.
3. t
WP
is measured from S-CS
1
# going low to end of write.
4. t
AS
is measured from the address valid to the beginning of write.
5. t
WR
is measured from the end of write to the address change. t
WR
applied in case a write ends as S-CS
1
# or
S-WE# going high.
#
Sym
Parameter
Density
2/4 Mbit
Unit
Volt
2.7 V – 3.3 V
Note
Min
Max
W1
t
WC
Write Cycle Time
70
–
ns
W2
t
AS
Address Setup to S-WE# (S-CS
1
#) and S-UB#,
S-LB# Going Low
4
0
–
ns
W3
t
WP
S-WE# (S-CS
1
#) Pulse Width
3
55
–
ns
W4
t
DW
Data to Write Time Overlap
30
–
ns
W5
t
AW
Address Setup to S-WE# (S-CS
1
#) Going High
60
–
ns
W6
t
CW
S-CE# (S-WE#) Setup to S-WE# (S-CS
1
#) Going
High
60
–
ns
W7
t
DH
Data Hold Time from S-WE# (S-CS
1
#) High
0
–
ns
W8
t
WR
Write Recovery
5
0
–
ns
W9
t
BW
S-UB#, S-LB# Setup to S-WE# (S-CS
1
#) Going High
60
–
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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