- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F1604C3 (Intel Corp.) 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F1604C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 38/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 927K |
| 代理商： | 28F1604C3 |
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28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
32
Preliminary
5.0
Migration Guide Information
Typically, it is important to discuss footprint migration compatibility between a new product and
existing products. In this specific case, the Stacked CSP allows the system designer to remove two
separate memory footprints for individual flash and SRAM and replace them with a single
footprint, thus resulting in an overall reduction in board space required. This implies that a new
printed circuit board would be used to take advantage of this feature.
Since the flash in Stacked-CSP shares the same features as the Advanced+ Boot Block Features,
conversions from the Advanced Boot Block are described in
AP-658 Designing for Upgrade to the
Advanced+ Boot Block Flash Memory,
order number 292216
.
Please contact your local Intel representation for detailed information about specific Flash +
SRAM system migrations.
Figure 11. SRAM Data Retention Waveform
V
CC
3.0/2.7V
CS
1
# (E
1
)
2.2V
V
DR
CS
2
(E
2
)
GND
V
CC
3.0/2.7V
0.4V
GND
V
DR
CS
1
# Controlled
CS
2
Controlled
Data Retention Mode
t
SDR
t
RDR
Data Retention Mode
t
SDR
t
RDR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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