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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F1604C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 3伏高級(jí)堆疊芯片級(jí)封裝存儲(chǔ)器（3V的閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 37/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 927K |
| 代理商： | 28F1604C3 |
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28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
Preliminary
31
4.11
SRAM Data Retention Characteristics
(1)
—
Extended
Temperature
NOTES:
1. Typical values at nominal S-V
CC
, T
A
= +25 °C.
2. S-CS
1
#
≥
V
CC1 –
0.2 V, S-CS
2
≥
V
CC1 –
0.2 V (S-CS
1
# controlled) or S-CS
2
≤
0.2 V (S-CS
2
controlled).
Figure 10. AC Waveform: SRAM Write Operations
Sym
Parameter
Note
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
V
DR
S-V
CC
for Data Retention
2
1.5
–
3.3
V
CS
1
#
≥
V
CC1 –
0.2 V
I
DR
Deep Retention Current
2
–
–
5
μA
S-V
CC
= 1.5 V
CS
1
≥
V
CC1 –
0.2 V
t
SDR
Data Retention Set-up Time
0
–
–
ns
See Data Retention Waveform
t
RDR
Recovery Time
t
RC
–
–
ns
High Z
Data In
Address Stable
Device
Address Selection
Standby
ADDRESSES (A)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CS
1
# (E
1
)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
UB#, LB#
High Z
V
IH
V
IL
V
IH
W1
W8
CS
2
(E
2
)
V
IL
V
IH
W9
W6
W5
W2
W3
W4
W7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F160C18 | 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F160C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F800C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F160S3 | 3 V FlashFile Memory(3 V FlashFile 存儲(chǔ)器) |
| 28F320S3 | 3 V、32MB FlashFile Memory(3 V、32M位FlashFile 存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F160BJHE-BTLTH | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| 28F160C3BA90 | 制造商: 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3TD70 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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