- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F1604C3 (Intel Corp.) 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F1604C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 54/64頁 |
| 文件大小： | 927K |
| 代理商： | 28F1604C3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁當前第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
48
Preliminary
B.5
System Interface Information
Table 16. System Interface Information
Offset
Length
Description
Addr.
Hex
Code
Value
1Bh
1
V
CC
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
V
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
V
[programming] supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
V
PP
[programming] supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
“n” such that typical single word program time-out = 2
n
μs
V
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
V
CC
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
V
[programming] supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
V
[programming] supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
“n” such that typical single word program time-out = 2
n
μs
V
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
V
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
V
PP
[programming] supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
“n” such that typical max. buffer write time-out = 2
n
μs
“n” such that typical block erase time-out = 2
n
ms
“n” such that typical full chip erase time-out = 2
n
ms
“n” such that maximum word program time-out = 2
n
times typical
“n” such that maximum buffer write time-out = 2
n
times typical
“n” such that maximum block erase time-out = 2
n
times typical
“n” such that maximum chip erase time-out = 2
n
times typical
1B:
--27
2.7 V
1Ch
1
1C:
--36
3.6 V
1Dh
1
1D:
--B4
11.4 V
1Eh
1
1E:
--C6
12.6 V
1Fh
1
1F:
--05
32 μs
1Bh
1
1B:
--27
2.7 V
1Ch
1
1C:
--36
3.6 V
1Dh
1
1D:
--B4
11.4 V
1Eh
1
1E:
--C6
12.6 V
1Fh
1
1F:
--05
32 μs
1Bh
1
1B:
--27
2.7 V
1Ch
1
1C:
--36
3.6 V
1Dh
1
1D:
--B4
11.4 V
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
1
1
1
1
1
1
1
20:
21:
22:
23:
24:
25:
26:
--00
--0A
--00
--04
--00
--03
--00
n/a
1 s
n/a
512 μs
n/a
8 s
NA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F160C18 | 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級引導塊閃速存儲器) |
| 28F160C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級引導塊閃速存儲器) |
| 28F800C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級引導塊閃速存儲器) |
| 28F160S3 | 3 V FlashFile Memory(3 V FlashFile 存儲器) |
| 28F320S3 | 3 V、32MB FlashFile Memory(3 V、32M位FlashFile 存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F160BJHE-BTLTH | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| 28F160C3BA90 | 制造商: 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3TD70 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。