- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F1604C3 (Intel Corp.) 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F1604C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 3伏高級(jí)堆疊芯片級(jí)封裝存儲(chǔ)器（3V的閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 25/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 927K |
| 代理商： | 28F1604C3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當(dāng)前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
Preliminary
19
4.4
DC Characteristics
Symbol
Parameter
Device
Note
2.7 V – 3.3 V
Unit
Test Conditions
Typ
Max
I
LI
Input Load Current
Flash/
SRAM
1,7
±
2
μA
F-V
CC
/S-V
CC
= V
CC1
Max
V
IN
= V
CC1
Max or GND
I
LO
Output Leakage Current
Flash/
SRAM
1,7
0.2
±
10
μA
F-V
CC
/S-V
CC
= V
CC1
Max
V
IN
= V
CC1
Max or GND
I
CCS
V
CC
Standby Current
Flash
1
10
25
μA
F-V
= V
Max
F-CE# = F-RP# = V
F-WP# = V
CC1
or GND
V
IN
= V
CC1
2-Mb
SRAM
1
-
10
μA
S-V
CC
= V
CC1
Max
S-CS#
1
= V
, S-CS
2
= V
CC
or S-CS
2
= GND
V
IN
= V
CC1
Max or GND
4-Mb
SRAM
1
-
20
μA
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down Current
Flash
1,7
7
25
μA
F-V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC1
Max or GND
F-RP# = GND ± 0.2 V
I
CC
Operating Power Supply Current
(cycle time = 1
μ
s)
2-Mb
SRAM
1
-
7
mA
I
IO
= 0 mA, S-CS#
1
= V
IL
S-CS
= S-WE# = V
IH
V
IN
= V
IL
or V
IH
4-Mb
SRAM
1
-
10
mA
I
CC2
Operating Power Supply Current
(min cycle time)
2-Mb
SRAM
1
-
40
mA
Cycle time = Min, 100% duty,
I
IO
= 0 mA, S-CS#
1
= V
IL
,
S-CS
2
= V
IH,
V
IN
= V
IL
or V
IH
4-Mb
SRAM
1
-
45
mA
I
CCR
V
CC
Read Current
Flash
1,5,7
9
18
mA
F-V
CC
= V
CC1
Max
F-OE# = V
IH
, F-CE# = V
IL
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
V
IN
= V
IL
or V
IH
I
CCW
V
CC
Program Current
Flash
1,4
18
55
mA
F-V
PP
= V
PP1
Program in Progress
8
15
mA
F-V
PP
= V
PP2
(12 V)
Program in Progress
I
CCE
V
CC
Erase Current
Flash
1,4
16
45
mA
F-V
PP
= V
PP1
Erase in Progress
8
15
mA
F-V
PP
= V
PP2
(12 V)
Erase in Progress
I
CCES
V
CC
Erase Suspend Current
Flash
1,2,4
10
25
μA
F-CE# = V
CC
, Erase Suspend
in Progress
I
CCWS
V
CC
Program Suspend Current
Flash
1,2,4
10
25
μA
F-CE# = V
CC
, Program
Suspend in Progress
I
PPD
F-V
PP
Deep Power-Down Current
Flash
1
0.2
5
μA
F-RP# = GND ± 0.2 V
F-V
PP
≤
V
CC1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F160C18 | 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F160C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F800C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級(jí)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F160S3 | 3 V FlashFile Memory(3 V FlashFile 存儲(chǔ)器) |
| 28F320S3 | 3 V、32MB FlashFile Memory(3 V、32M位FlashFile 存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F160BJHE-BTLTH | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| 28F160C3BA90 | 制造商: 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3TD70 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。