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參數(shù)資料
| 型號： | VG36646141BT-8 |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 69/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 974K |
| 代理商： | VG36646141BT-8 |
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Document : 1G5-0127
Rev2
Page 69
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Precharge Termination of a Burst (2 of 3)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
BS
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Burst Length=4,8 or Full Page, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
RAa
Activate
Command
Bank A
CAb
RAb
RAb
RAc
Precharge
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
High
RAa
RAc
CAa
DAa1
DAa0
QAb0
QAb1
QAb2
QAb3
tDPL
tRP
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
tRCD
tRP
Write Data
is masked
Precharge Termination
of a Write Burst.
Precharge Termination
of a Read Burst.
t
RAS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36648041BT-8H | x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | x8 SDRAM |
| VG37648041AT | 256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG4616322BQ-5 | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
| VG4616322BQ-5R | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG36648041BT-10 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-7 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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