參數(shù)資料
型號： VG36646141BT-8
廠商： Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述： CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述： 同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的CMOS
文件頁數(shù)： 26/70頁
文件大小： 974K
代理商： VG36646141BT-8
Document : 1G5-0127
Rev2
Page 26
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
10.2 PRECHARGE TERMINATION
10.2.1 PRECHARGE TERMINATION in READ Cycle
During READ cycle, the burst read operation is terminated by a precharge command. When the
precharge command is asserted, the burst read operation is terminated and precharge starts.
The same bank can be activated again after t
RP
from the precharge command.
When CAS latency is 2,the read data will remain valid until one clock after the precharge com-
mand.
When CAS latency is 3, the read data will remain valid until two clocks after the precharge com-
mand.
Precharge Termination in READ Cycle
Burst lengh= X
CLK
Command
CAS latency=2
DQ
Hi-Z
Read
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
t
RP
PRE
ACT
DQ
Read
PRE
ACT
t
RP
CAS latency=3
Q0
Q3
Q2
Q1
Hi-Z
Q0
Q3
Q2
Q1
command
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