參數(shù)資料
型號： VG36646141BT-8
廠商： Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述： CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述： 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS
文件頁數(shù)： 55/70頁
文件大?。?/td> 974K
代理商： VG36646141BT-8
Document : 1G5-0127
Rev2
Page 55
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Interleaved Column Write Cycle (2 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
BS
A10
ADD
DQM
DQ
tCK
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
QBb1
QBd0
QAa0 QAa1 QAa2QAa3 QBa0 QBa1
QBd1
Precharge
Command
Bank A
Ra
Ra
Ra
Ca
Ra
Ca
Cb
Cc
Cb
QAb1
QBc0 QBc1
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
(Bank D)
QBb0
QAb0
Write
Command
Bank B
(Bank D) (Bank D)
Write
Bank B
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
(Bank D)
tRRD
Activate
Command
Bank B
(Bank D)
tRCD
Cd
tDPL
tRP
QBd2 QBd3
tDPL
Precharge
Command
Bank B
(Bank D)
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PDF描述
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