參數(shù)資料
型號(hào)： VG36646141BT-8
廠(chǎng)商： Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述： CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述： 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的CMOS
文件頁(yè)數(shù)： 45/70頁(yè)
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代理商： VG36646141BT-8
Document : 1G5-0127
Rev2
Page 45
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Random Column Write (Page Within same Bank) (1 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
BS
A10
ADD
DQM
DQ
tCK
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank B
(Bank D)
Write
Hi-Z
Activate
Command
Bank B
(Bank D)
Command
Bank B
(Bank D)
Ra
Ca
Ra
Cb
Cc
Cd
Rd
Write
Command
Bank B
(Bank D)
Precharge
Command
Bank B
(Bank D)
Write
Command
Bank B
(Bank D)
Rd
Write
Command
Bank B
(Bank D)
Dc2
Dc3
Da1
Da2
Da3
Db0
Db1
Dc0
Dc1
Da0
Dd0
Dd1
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PDF描述
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