參數(shù)資料
型號(hào)： VG36646141BT-8
廠商： Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述： CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述： 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的CMOS
文件頁(yè)數(shù)： 14/70頁(yè)
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代理商： VG36646141BT-8
Document : 1G5-0127
Rev2
Page 14
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
5.Mode Register (Address Input for Mode Set)
0
0
0
0
1
13 12 11
0
0
10
9
8
5
4
Reserved
3
2
1
0
JEDEC Standard Test Set
x
x
1
0
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
BL
0
Burst Read and Single Write (for Write Through Cache)
LTMODE
WT
x
x
0
0
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
BL
0
Burst Read and Burst Write X = Don’t care
LTMODE
WT
Burst length
Bits2 - 0
000
WT = 1
1
WT = 0
1
001
010
011
100
101
110
111
2
4
8
R
R
R
Full page
2
4
8
R
R
R
R
Wrap type
0
1
Sequential
Interleave
Latency
mode
Bits6 - 4 CAS Iatency
000
001
010
011
100
101
110
111
R
R
2
3
R
R
R
R
Remark R : Reserved
7
6
12
x
13
x
13 12
x
x
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PDF描述
VG36648041BT-8H x8 SDRAM
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參數(shù)描述
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