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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VG36646141BT-8 |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的CMOS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 974K |
| 代理商： | VG36646141BT-8 |
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Document : 1G5-0127
Rev2
Page 16
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
A12
0
A13
0
Result
Select Bank A
“Activate “ command
Select Bank B
“Activate” command
Select Bank C
“Activate” command
Select Bank D
“Activate” command
0
1
1
0
1
1
0
1
Disables Auto - Precharge (End of Burst)
Enables Auto - Precharge (End of Burst)
(Activate command)
A0 A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9 A10 A11 A12 A13
6.Address Bits of Bank-Select and Precharge
6.1 Quad banks controlled by A12 & A13 (for VG36648041/VG36648042)
A10
0
0
0
0
1
A12 A13 Result
0
0
0
1
1
0
1
1
X
X
Precharge Bank A
Precharge Bank B
Precharge Bank C
Precharge Bank D
Precharge All Banks
A12
0
A13
0
Result
Enables Read/Write
commands for Bank A
Enables Read/Write
commands for Bank B
Enables Read/Write
commands for Bank C
Enables Read/Write
commands for Bank D
0
1
1
0
1
1
Row
(Precharge command)
A0 A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9 A10 A11 A12 A13
Row
(CAS strobes)
A0 A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9 A10 A11 A12 A13
Co1.
X: Don't care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36648041BT-8H | x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | x8 SDRAM |
| VG37648041AT | 256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG4616322BQ-5 | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
| VG4616322BQ-5R | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG36648041BT-10 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-7 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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