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參數(shù)資料
| 型號： | VG36646141BT-8 |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 25/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 974K |
| 代理商： | VG36646141BT-8 |
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Document : 1G5-0127
Rev2
Page 25
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
10.BURST Termination
There are two methods to terminate a burst operation other than using a read or a write command.
One is the burst stop command and the other is the precharge command.
10.1 BURST Stop Command
During a read burst. when the burst stop command is asserted, the burst read data are termi-
nated and the data bus goes to high-impedance after the CAS latency from the burst stop com-
mand.
During a write burst, when the burst stop command is asserted, any data provided at that cycle
will not be written. The burst write is effectively terminated and no further data can be written until a
new write command is asserted.
Burst Termination
Remark BST: Burst stop command
Remark BST: Burst command
Burst lengh=X, CAS Intency=2,3
T6
CLK
Command
CAS latency=2
DQ
CAS latency=3
DQ
Q0
Q2
Q1
Read
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T7
BST
Hi-Z
Q0
Q2
Q1
Hi-Z
Burst lengh=X, CAS latency=2,3
T6
CLK
Command
CAS latency=2,3
DQ
Q0
Q2
Q1
Write
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T7
BST
Hi-Z_
Q0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36648041BT-8H | x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | x8 SDRAM |
| VG37648041AT | 256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG4616322BQ-5 | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
| VG4616322BQ-5R | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG36648041BT-10 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-7 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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