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參數(shù)資料
| 型號： | VG36646141BT-8 |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 20/70頁 |
| 文件大小： | 974K |
| 代理商： | VG36646141BT-8 |
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Document : 1G5-0127
Rev2
Page 20
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
8.3 Multibank Operation- Read with Auto Precharge
During a READA cycle interrupted by a Read, Write command of another banks, the auto-pre-
charge scheduled time would not be changed.
CLK
Command
CAS latency=2
DQ
Command
CAS latency=3
DQ
Hi-Z
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14
READA A
Read B
Burst lengh=8
Auto precharge bank A starts
QA0
QA1
QB0
QB2
QB3
QB4
QB5
QB6
QB7
QB1
Read B
Auto precharge bank A starts
Hi-Z
QA0
QA1
QB0
QB2
QB3
QB4
QB5
QB6
QB7
QB1
READA A
Multibank Operation
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