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參數(shù)資料
| 型號： | VG36646141BT-8 |
| 廠商： | Vanguard International Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 19/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 974K |
| 代理商： | VG36646141BT-8 |
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Document : 1G5-0127
Rev2
Page 19
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
8.2 Write with Auto Precharge
During a write cycle, the auto precharge starts at the timing that is equal to the value of t
DPL(min.)
after the last data word input to the device.
WRITE with AUTO PRECHRGE
In summary, the auto precharge cycle begins relative to a reference clock that indicates the last data
word is valid.
In the table below, minus means clocks before the reference; plus means clocks after the reference.
9.Read/Write Command Interval
CAS latency
2
Read
-1
Write
+ t
DPL(min.)
+ t
DPL(min.)
3
-2
Burst lengh = 4
CLK
Command
CAS latency = 2
DQ
Command
CAS latency = 3
DQ
Remark WRITA means WRITE with AUTO Precharge
Hi - Z
DB0
DB3
DB2
DB1
WRITA B
WRITA B
T0
T1
T
2
T3
T4
T5
T6
T7
Hi - Z_
T8
t
DPL
t
DPL
DB0
DB3
DB2
DB1
AUTO PRECHARGE starts
AUTO PRECHARGE starts
No New Command to Bank B
No New Command to Bank B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36648041BT-8H | x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | x8 SDRAM |
| VG37648041AT | 256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG4616322BQ-5 | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
| VG4616322BQ-5R | 262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG36648041BT-10 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-7 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36648041BT-8H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| VG36648041BT-8L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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