參數(shù)資料
型號(hào): VG36646141BT-8
廠商: Vanguard International Semiconductor Corporation
英文描述: CMOS Synchronous Dynamic RAM
中文描述: 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的CMOS
文件頁(yè)數(shù): 51/70頁(yè)
文件大小: 974K
代理商: VG36646141BT-8
Document : 1G5-0127
Rev2
Page 51
VIS
Preliminary VG36641641BT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Read and Write Cycle (2 of 2)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
BS
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank A
Read
Hi-Z
Command
Bank A
DAb3
QAc0
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
DAb0 DAb1
Write
Command
Bank A
QAc3
QAc1
The Read Data
is Masked with
a Two Clock
Latency
The Write Data
is Masked with a
Zero Clock
Latency
RAa
RAa
CAb
CAa
CAc
Read
Command
Bank A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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