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參數(shù)資料
| 型號： | 28F320D18 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Dual-Plane Flash Memory(1.8 V Intel 雙平面閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 1.8 V的英特爾雙平面閃存（1.8伏英特爾雙平面閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 69/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 836K |
| 代理商： | 28F320D18 |
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28F320D18
Product Preview
65
8.9
Block Erase and Program Performance
NOTES:
1. Typical values measured at T
A
= +25 °C and nominal voltages.
2. Excludes external system-level overhead.
3. Sampled, but not 100% tested.
#
Symbol
Parameter
(1)
V
PP
V
(in system)
V
(in manufacturing)
Unit
Note
Typ
(1)
Max
(2)
Typ
(1)
Max
(2)
W0
t
BWPB
4-KW Parameter Block Program Time
2
0.1
0.3
0.03
0.1
s
t
BWMB
32-KW Main Block Program Time
2
0.8
2.4
0.24
0.80
s
t
WHQV1
/
t
EHQV1
Word Program Time
2
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/
t
EHQV2
4-KW Parameter BlockErase Time
2
1
4
0.8
4
s
t
WHQV3
/
t
EHQV3
32-KW Main Block Erase Time
2
1.5
5
1.1
5
s
t
WHRH1
/
t
EHRH1
Program Suspend Latency
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/
t
EHRH2
Erase Suspend Latency
5
20
5
20
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F320J5 | 5 Volt Intel StrataFlash Memory(5 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
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參數(shù)描述 |
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