參數(shù)資料
型號(hào)： 28F128J3A
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 3伏特英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（128兆位3伏地層的閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 56/58頁(yè)
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代理商： 28F128J3A
28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
50
PRODUCT PREVIEW
6.7
Block Erase, Program, and Lock-Bit Configuration
Performance
(3,4)
NOTES:
1. Typical values measured at T
= +25 °C and nominal voltages. Assumes corresponding lock-bits are not set.
Subject to change based on device characterization.
2. Excludes system-level overhead.
3. These performance numbers are valid for all speed versions.
4. Sampled but not 100% tested.
5. These values are valid when the buffer is full, and the start address is aligned on a 32-byte boundary.
6. Effective per-byte program time (t
WHQV1
, t
EHQV1
) is 6.3 μs/byte (typical)
7. Effective per-word program time (t
WHQV2
, t
EHQV2
) is 12.6 μs/word (typical)
#
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
Unit
W16
Write Buffer Byte Program Time
(Time to Program 32 bytes/16 words)
2,5,6,7
200
TBD
μs
W16
t
WHQV3
t
EHQV3
Byte Program Time (Using Word/Byte Program
Command)
2
180
TBD
μs
Block Program Time (Using Write to Buffer Command)
2
0.8
TBD
sec
W16
t
WHQV4
t
EHQV4
Block Erase Time
2
0.7
TBD
sec
W16
t
WHQV5
t
EHQV5
Set Lock-Bit Time
2
32
TBD
μs
W16
t
WHQV6
t
EHQV6
Clear Block Lock-Bits Time
2
0.3
TBD
sec
W16
t
WHRH1
t
EHRH1
Program Suspend Latency Time to Read
25
30
μs
W16
t
WHRH
t
EHRH
Erase Suspend Latency Time to Read
26
35
μs
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PDF描述
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
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28F128 3 Volt Intel StrataFlash Memory
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