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參數資料
| 型號： | 28F128J3A |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲器（128兆位3伏地層的閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 54/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 574K |
| 代理商： | 28F128J3A |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
48
PRODUCT PREVIEW
0606_17
NOTES:
CE
X
low is defined as the first edge of CE
, CE
, or CE
that enables the device. CE
X
high is defined at the first edge of CE
0
, CE
1
,
or CE
2
that disables the device (see Table 2, Chip Enable Truth Table).
STS is shown in its default mode (RY/BY#).
a. V
power-up and standby.
b. Write block erase, write buffer, or program setup.
c. Write block erase or write buffer confirm, or valid address and data.
d. Automated erase delay.
e. Read status register or query data.
f. Write Read Array command.
Figure 19. AC Waveform for Write Operations
A
IN
A
IN
A
B
C
D
E
F
W15
D
IN
W11
W10
Valid
SRD
D
IN
D
IN
W13
W14
W7
W3
W4
High Z
W2
W9
W16
W12
W6
W1
W5
W8
V
IH
V
IL
ADDRESSES [A]
Disabled (V
IH
)
Enabled (V
IL
)
CE
X
, (WE#) [E(W)]
V
IH
V
IL
OE# [G]
Disabled (V
IH
)
Enabled (V
IL
)
WE#, (CE
) [W(E)]
V
IH
V
IL
DATA [D/Q]
V
OH
V
OL
STS [R]
V
IH
V
IL
RP# [P]
V
PENLK
V
IL
V
PEN
[V]
V
PENH
V
HH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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