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參數(shù)資料
| 型號： | 28F128J3A |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲器（128兆位3伏地層的閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 51/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 574K |
| 代理商： | 28F128J3A |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
PRODUCT PREVIEW
45
6.5
AC Characteristics— Read-Only Operations
(1,2)
Versions (All units in ns unless otherwise
noted)
V
CC
3.0 V–3.6 V
(4)
2.7 V–3.6 V
(4)
2.7 V–3.6 V
(4)
V
CCQ
3.0 V–3.6 V
(4)
2.7 V–3.6 V
(4)
5.0 V–3.6 V
(4)
#
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
R1
t
AVAV
Read/Write Cycle Time
32 Mbit
100
100
120
64 Mbit
120
120
150
128 Mbit
150
150
180
R2
t
AVQV
Address to Output Delay
32 Mbit
100
100
100
64 Mbit
120
120
150
128 Mbit
150
150
180
R3
t
ELQV
CE
X
to Output Delay
32 Mbit
2
100
100
130
64 Mbit
2
120
120
150
128 Mbit
2
150
150
180
R4
t
GLQV
OE# to Non-Array Output Delay
2, 6
50
50
80
R5
t
PHQV
RP# High to Output Delay
32 Mbit
150
150
180
64 Mbit
180
180
210
128 Mbit
210
210
240
R6
t
ELQX
CE
X
to Output in Low Z
3
0
0
0
R7
t
GLQX
OE# to Output in Low Z
3
0
0
0
R8
t
EHQZ
CE
X
High to Output in High Z
3
55
55
85
R9
t
GHQZ
OE# High to Output in High Z
3
15
15
45
R10
t
OH
Output Hold from Address, CE
X
, or OE#
Change, Whichever Occurs First
3
0
0
0
R11
t
ELFL
t
ELFH
CE
X
Low to BYTE# High or Low
3
10
10
40
R12
t
FLQV
t
FHQV
BYTE# to Output Delay
1000
1000
1030
R13
t
FLQZ
BYTE# to Output in High Z
3
1000
1000
1030
R14
t
EHEL
CEx High to CEx Low
3
0
0
0
R15
t
APA
Page Address Access Time
3, 5
25
30
60
R16
t
GLQV
OE# to Array Output Delay
6
25
30
60
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