參數(shù)資料
型號(hào)： 28F128J3A
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 3伏特英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（128兆位3伏地層的閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 11/58頁(yè)
文件大小： 574K
代理商： 28F128J3A
28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
PRODUCT PREVIEW
5
0667-03
NOTES:
1. A
22
exists on 64-, 128- and 256-Mbit densities. On 32-Mbit densities this pin is a no-connect (NC).
2. A
23
exists on 128-Mbit densities. On 32- and 64-Mbit densities this pin is a no-connect (NC).
3. A
24
exists on 256-Mbit densities. On 32-, 64- and 128-Mbit densities this pin is a no-connect (NC).
4. V
CC
= 5 V ± 10% for the 28F640J5/28F320J5.
2.0
PRINCIPLES OF OPERATION
The Intel StrataFlash memory devices include an on-chip WSM to manage block erase, program,
and lock-bit configuration functions. It allows for 100% TTL-level control inputs, fixed power
supplies during block erasure, program, lock-bit configuration, and minimal processor overhead
with RAM-like interface timings.
After initial device power-up or return from reset/power-down mode (see Section 3.0, Bus
Operations), the device defaults to read array mode. Manipulation of external memory control pins
allows array read, standby, and output disable operations.
Read array, status register, query, and identifier codes can be accessed through the CUI (Command
User Interface) independent of the V
voltage. V
on V
enables successful block erasure,
programming, and lock-bit configuration. All functions associated with altering memory
contents—block erase, program, lock-bit configuration—are accessed via the CUI and verified
through the status register.
Figure 3.
3 Volt Intel StrataFlash Memory 56-Lead TSOP (32/64/128 Mbit) Offers and Easy
Migration from the 32-Mbit Intel StrataFlash Component (28F320J5) or the 16-Mbit
FlashFile Component (28F160S3)
Highlights pinout changes
NC
WE#
OE#
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
(4)
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
NC
CE
2
28F320J5
Intel
StrataFlash Memory
56-Lead TSOP
Standard Pinout
14 mm x 20 mm
Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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13
14
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28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
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46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
A
WE#
(3)
OE#
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
A
23
CE
2
A
21
A
20
A
19
A
18
CE
1
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
A
22
(1)
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
32/64/128M
A
20
A
19
A
18
CE
1
NC
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PP
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
NC
28F160S3
(2)
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
32/64/128M
28F320J5
NC
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
(4)
A
15
V
CC
A
14
A
13
A
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CE
0
V
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
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A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
WP#
WE#
OE#
STS
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DQ
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GND
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DQ
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V
GND
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11
DQ
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10
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2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
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0
A
BYTE#
NC
NC
28F160S3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F128 3 Volt Intel StrataFlash Memory
28F1602C3 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器)
28F3204C3 3 V Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V高級(jí)堆芯片封裝存儲(chǔ)器)
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參數(shù)描述
28F128J3A150 制造商: 功能描述: 制造商:INTELC 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F128J3A-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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28F128J3FS-12ET 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F128L18 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory
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