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參數(shù)資料
| 型號： | UPD46128512F9-CR2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動(dòng)指明內(nèi)存800萬字由16位溫度范圍 |
| 文件頁數(shù)： | 58/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 817K |
| 代理商： | UPD46128512F9-CR2 |
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Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS
58
μ
PD46128512-X
Synchronous Burst Read Cycle
Parameter
Symbol
-E9X, -E10X
-E11X, -E12X
Unit
Note
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Synchronous Read Specifications
Burst access time
t
BACC
7
8
ns
1
Output data hold time
t
BDH
2
2
ns
/OE setup time to CLK for data output
t
OC
30
30
ns
/LB, /UB setup time to CLK for data output
t
BC
30
30
ns
/OE setup time for burst read suspend
t
SOES
5
5
ns
/OE hold time for burst read suspend
t
SOEH
1
1
ns
Burst read suspend time (/OE = HIGH)
t
SOP
9
10,000
12
10,000
ns
Burst read termination recovery time
t
TRB
18
24
ns
Note1.
Output load: 30 pF
Synchronous Burst Write Cycle
Parameter
Symbol
-E9X, -E10X
-E11X, -E12X
Unit
Note
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Synchronous Write Specifications
/LB, /UB setup time to CLK
t
BC
30
30
ns
for latching data
/WE setup time for CLK
t
WES
5
5
ns
(In /WE single clock control operation)
(In burst write suspend operation)
/WE hold time in the write operation
t
WEH
1
1
ns
(In /WE single clock control operation)
(In burst write suspend operation)
Write data setup time
t
WDS
5
5
ns
Write data hold time
t
WDH
1
1
ns
/WE HIGH pulse width
t
SWHP
9
10,000
12
10,000
ns
/ADV LOW from CLK for latching the latest
data
t
WRB
2
2
CLK
Burst write termination recovery time
t
TRB
18
24
ns
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