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參數(shù)資料
| 型號： | UPD46128512F9-CR2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動指明內(nèi)存800萬字由16位溫度范圍 |
| 文件頁數(shù)： | 24/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 817K |
| 代理商： | UPD46128512F9-CR2 |
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Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS
24
μ
PD46128512-X
Figure 4-9. Burst Write /WAIT Output (/CE1 = HIGH
→
LOW)
T1
T3
T0
T2
T4
T5
CLK (Input)
/ADV (Input)
A0 to A22 (Input)
/CE1 (Input)
/WE (Input)
(WC = 1)
(WC = 0)
/WE (Input)
DQ0 to DQ15 (Output)
/WAIT (Output)
Add
t
WES
t
WES
t
WEH
RL = 5
High-Z
D0
D1
t
CLWA
High-Z
t
CEWA
Figure 4-10. Burst Write /WAIT Output (/CE1 = LOW, /ADV = HIGH
→
LOW)
T1
T3
T0
T2
T4
T5
CLK (Input)
/ADV (Input)
A0 to A22 (Input)
/CE1 (Input)
/WE (Input)
(WC = 1)
(WC = 0)
/WE (Input)
DQ0 to DQ15 (Output)
/WAIT (Output)
Add
t
ADWA
t
WES
t
WES
t
WEH
RL = 5
High-Z
D0
D1
t
CLWA
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PDF描述 |
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