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參數(shù)資料
| 型號： | UPD46128512F9-CR2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動指明內(nèi)存800萬字由16位溫度范圍 |
| 文件頁數(shù)： | 39/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 817K |
| 代理商： | UPD46128512F9-CR2 |
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Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS
39
μ
PD46128512-X
Figure 7-3. Asynchronous Read Cycle Timing Chart 2-2 (Basic Timing2-2)
/CE1 (Input)
Address (Input)
DQ (Output)
High-Z
High-Z
/OE (Input)
t
RC
/LB, /UB (Input)
t
CP
t
CHZ
t
AH
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
/ADV (Input)
t
ASV
t
VPL
t
ACE
Data Out Q1
A1
A2
t
VPL
t
ASC
t
ASC
L
Cautions 1. In read cycle, CE2 and /WE should be fixed HIGH.
2. CLK should be fixed HIGH or LOW.
Figure 7-4. Asynchronous Read Cycle Timing Chart 2-3 (Basic Timing2-3)
/CE1 (Input)
Address (Input)
DQ (Output)
High-Z
High-Z
/OE (Input)
t
RC
/LB, /UB (Input)
t
AH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
/ADV (Input)
t
ASV
Data Out Q1
A1
A2
t
VPL
t
ASO
L
t
AA
t
ASO
Cautions 1. In read cycle, CE2 and /WE should be fixed HIGH.
2. CLK should be fixed HIGH or LOW.
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