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參數資料
| 型號： | UPD46128512F9-CR2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動指明內存800萬字由16位溫度范圍 |
| 文件頁數： | 56/82頁 |
| 文件大小： | 817K |
| 代理商： | UPD46128512F9-CR2 |
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Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS
56
μ
PD46128512-X
Figure 7-24. Asynchronous Read-Write Cycle Timing Chart
/CE1 (Input)
Address (Input)
DQ (Input/Output)
High-Z
High-Z
High-Z
t
RC
/OE (Input)
t
AA
A1
/LB, /UB (Input)
/WE (Input)
t
ASO
t
ACE
t
WC
t
CW
t
WR
t
OES
t
WR
t
OLZ
t
OE
t
WP
t
BA
t
DW
t
DH
t
RC
t
CLZ
t
BLZ
t
OHZ
t
WR
t
BW
Data Out Q1
Data In D1
Cautions 1. During address transition, at least one of pins /CE1 and /WE, or both of /LB and /UB pins should
be inactivated.
2. Do not input data to the DQ pins while they are in the output state.
3. In write cycle, CE2 and /OE should be fixed HIGH.
4. /ADV should be fixed LOW or toggled HIGH
→
LOW
→
HIGH. CLK should be fixed HIGH or LOW.
Remark
Write operation is done during the overlap time of LOW of following signals.
/CE1
/WE
/LB and/or /UB
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PDF描述 |
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