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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512NC0BAWA62 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP） |
| 文件頁數(shù)： | 96/188頁 |
| 文件大?。?/td> | 2252K |
| 代理商： | S71WS512NC0BAWA62 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁當(dāng)前第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁
94
S71WS-Nx0 Based MCPs
S71WS-N_01_A4 September 15, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
15.1
Common Flash Memory Interface
The Common Flash Interface (CFI) specification outlines device and host system software inter-
rogation handshake, which allows specific vendor-specified soft-ware algorithms to be used for
entire families of devices. Software support can then be device-independent, JEDEC ID-indepen-
dent, and forward- and back-ward-compatible for the specified flash device families. Flash
vendors can standardize their existing interfaces for long-term compatibility.
This device enters the CFI Query mode when the system writes the CFI Query command, 98h, to
address (BA)555h any time the device is ready to read array data. The system can read CFI in-
formation at the addresses given in Tables
15.3–15.6
) within that bank. All reads outside of the
CFI address range, within the bank, returns non-valid data. Reads from other banks are allowed,
writes are not. To terminate reading CFI data, the system must write the reset command.
The following is a C source code example of using the CFI Entry and Exit functions. Refer to
the
S pansion Low Lev el Driv er User’s Guide
( available on www.amd.com and
www.fujitsu.com) for general information on Spansion Flash memory software development
guidelines.
/* Example: CFI Entry command */
*( (UINT16 *)bank_addr + 0x555 ) = 0x0098; /* write CFI entry command */
/* Example: CFI Exit command */
*( (UINT16 *)bank_addr + 0x000 ) = 0x00F0; /* write cfi exit command */
For further information, please refer to the CFI Specification (see JEDEC publications JEP137-A
and JESD68.01and CFI Publication 100). Please contact your sales office for copies of these
documents.
Table 15.3 CFI Query Identification String
Addresses
Data
Description
10h
11h
12h
0051h
0052h
0059h
Query Unique ASCII string “QRY”
13h
14h
0002h
0000h
Primary OEM Command Set
15h
16h
0040h
0000h
Address for Primary Extended Table
17h
18h
0000h
0000h
Alternate OEM Command Set (00h = none exists)
19h
1Ah
0000h
0000h
Address for Alternate OEM Extended Table (00h = none exists)
Table 15.4 System Interface String
Addresses
Data
Description
1Bh
0017h
V
Min. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Ch
0019h
V
Max. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Dh
0000h
V
PP
Min. voltage (00h = no V
PP
pin present)
1Eh
0000h
V
PP
Max. voltage (00h = no V
PP
pin present)
1Fh
0006h
Typical timeout per single byte/word write 2
N
μs
20h
0009h
Typical timeout for Min. size buffer write 2
N
μs (00h = not supported)
21h
000Ah
Typical timeout per individual block erase 2
N
ms
22h
0000h
Typical timeout for full chip erase 2
N
ms (00h = not supported)
23h
0004h
Max. timeout for byte/word write 2
N
times typical
24h
0004h
Max. timeout for buffer write 2
N
times typical
25h
0003h
Max. timeout per individual block erase 2
N
times typical
26h
0000h
Max. timeout for full chip erase 2
N
times typical (00h = not supported)
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