- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365459 > S71WS512NC0BAWA62 (Spansion Inc.) Stacked Multi-Chip Product (MCP) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512NC0BAWA62 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP） |
| 文件頁數(shù)： | 117/188頁 |
| 文件大?。?/td> | 2252K |
| 代理商： | S71WS512NC0BAWA62 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁當(dāng)前第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁
September 15, 2005 S71WS-N_01_A4
S71WS-Nx0 Based MCPs
115
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
26 Low Power Features
26.7
Partial Array Refresh (PAR) mode
The PAR mode enables the user to specify the active memory array size. This device consists of
4 blocks and the user can select 1 block, 2 blocks, 3 blocks or all blocks as active memory arrays
through the Mode Register Setting. The active memory array is periodically refreshed whereas
the disabled array is not refreshed, so the previously stored data is lost. Even though PAR mode
is enabled through the Mode Register Setting, PAR mode execution by the MRS# pin is still
needed.
The normal operation can be executed even in refresh-disabled array as long as the MRS# pin is
not driven to the Low condition for over 0.5 μs. Driving the MRS# pin to the High condition puts
the device back to the normal operation mode from the PAR executed mode. Refer to
Figure 26.1
and
Table 26.1
for PAR operation and PAR address mapping.
Figure 26.1 PAR Mode Execution and Exit
Table 26.1 PAR Mode Characteristics
Notes:
1.
2.
Only the data in the refreshed block are valid.
The PAR Array can be selected through Mode Register Set (see
Mode Register Setting Operation
).
26.8
Driver Strength Optimization
The optimization of output driver strength is possible through the mode register setting to adjust
for the different data loadings. Through this driver strength optimization, the device can minimize
the noise generated on the data bus during read operation. The device supports full drive, 1/2
drive and 1/4 drive.
26.1
Internal TCSR
The internal Temperature Compensated Self Refresh (TCSR) feature is a very useful tool for re-
ducing standby current at room temperature (below 40°C). DRAM cells have weak refresh
characteristics in higher temperatures. High temperatures require more refresh cycles, which can
lead to standby current increase.
Without the internal TCSR, the refresh cycle should be set at worst condition so as to cover the
high temperature (85°C) refresh characteristics. But with internal TCSR, a refresh cycle below
40°C can be optimized, so the standby current at room temperature can be greatly reduced. This
feature is beneficial since most mobile phones are used at or below 40°C in the phone standby
mode.
Power Mode
Address
(Bottom Array)
(
Note 2
)
000000h ~ 3FFFFFh
000000h ~ 2FFFFFh
000000h ~ 1FFFFFh
000000h ~ 0FFFFFh
Address
(Top Array)
(
Note 2
)
000000h ~ 3FFFFFh
100000h ~ 3FFFFFh
200000h ~ 3FFFFFh
300000h ~ 3FFFFFh
Memory Cell
Data
Standby Current
(μA, Max)
Wait Time
(μs)
Standby (Full Array)
Partial Refresh(3/4 Block)
Partial Refresh(1/2 Block)
Partial Refresh(1/4 Block)
Valid (
Note 1
)
TBD
TBD
TBD
TBD
0
MRS#
MODE
CS#
Normal
Operation
0.5
μ
s
Suspend
PAR mode
Normal
Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NC0BAWA63 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWA70 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWA72 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWA73 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWE20 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512NC0BAWA63 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWA70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWA72 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWA73 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWAJ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。