參數(shù)資料
型號: S71WS512NC0BAWA62
廠商: Spansion Inc.
英文描述: Stacked Multi-Chip Product (MCP)
中文描述: 堆疊式多芯片產(chǎn)品(MCP)
文件頁數(shù): 182/188頁
文件大小: 2252K
代理商: S71WS512NC0BAWA62
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180
S71WS-Nx0 Based MCPs
S71WS-N_01_A4 September 15, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
49 Transition Timing Waveform Between Read And Write
Latency = 5, Burst Length = 4, WP = Low enable (MRS# = V
IH
).
Notes:
1.
The new burst operation can be issued only after the previous burst operation is finished. For the new burst operation,
t
BEADV
should be met.
/WAIT Low (t
WL
or t
): Data not available (driven by CS# low going edge or ADV# low going edge)
/WAIT High (t
): Data available (driven by Latency-1 clock)
/WAIT High-Z (t
WZ
): Data don’t care (driven by CS# high going edge)
Multiple clock risings are allowed during low ADV# period. The burst operation starts from the first clock rising.
Burst Cycle Time (t
BC
) should not be over 2.5μs.
Figure 49.1 Synchronous Burst Read to Asynchronous Write (Address Latch Type)
2.
3.
4.
Table 49.1 Burst Read to Asynchronous Write (Address Latch Type) AC Characteristics
Symbol
Speed
Units
Symbol
Speed
Units
Min
7
Max
Min
1
Max
t
BEADV
ns
t
WLRL
clock
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
19
20
ADV#
Address
CS#
Data out
OE#
CLK
DQ0
t
CD
Valid
Latency 5
t
HZ
Valid
t
CSS(B)
T
t
OH
Dont Care
t
BEL
t
OEL
t
ADVS
t
ADVH
t
AS(B)
t
AH(B)
14
15
16
17
18
21
DQ1
DQ3
DQ2
WE#
t
CSS(A)
Data in
t
DH
t
DW
Data Valid
High-Z
High-Z
t
AS(A)
t
AH(A)
t
BEADV
t
AS
Read Lateny 5
0
t
WP
t
WLRL
t
CW
t
AW
t
BW
t
BC
WAIT#
High-Z
t
WH
t
WL
t
WZ
High-Z
t
ADV
LB#, UB#
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