參數(shù)資料
型號(hào)： S71PL129JC0BFI9P3
廠商： Spansion Inc.
英文描述： Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory
中文描述： 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 76/149頁(yè)
文件大?。?/td> 2693K
代理商： S71PL129JC0BFI9P3
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76
S29PL129J for MCP
S29PL129J_MCP_00_A0 June 4, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Controlled Erase Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the
Table 25, “Erase And Programming Performance,”
on page 78 for more information.
Table 22. Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
60
65
70
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (
Note 1
)
Min
55
60
65
70
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
30
35
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE1# or CE#2 Pulse Width
Min
35
40
ns
t
EHEL
t
CPH
CE1# or CE#2 Pulse Width High
Min
20
25
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (
Note 2
)
Typ
6
μs
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation (
Note 2
)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (
Note 2
)
Typ
0.5
sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S71WS-J Stacked Multi-Chip Product (MCP)
S71WS256PD0HF3SR3 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM
S71WS256PC0KF3SL2 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM
S71WS256PC0KF3SL3 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM
S71WS256PC0KF3SR0 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM
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S71PL129JC0BFI9Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory
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