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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL129JC0BFI9P3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 76/149頁 |
| 文件大?。?/td> | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFI9P3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁當(dāng)前第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁
76
S29PL129J for MCP
S29PL129J_MCP_00_A0 June 4, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Controlled Erase Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the
Table 25, “Erase And Programming Performance,”
on page 78 for more information.
Table 22. Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
60
65
70
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (
Note 1
)
Min
55
60
65
70
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
30
35
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE1# or CE#2 Pulse Width
Min
35
40
ns
t
EHEL
t
CPH
CE1# or CE#2 Pulse Width High
Min
20
25
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (
Note 2
)
Typ
6
μs
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation (
Note 2
)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (
Note 2
)
Typ
0.5
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS-J | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS256PD0HF3SR3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL2 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SR0 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71PL129JC0BFI9U0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9U2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9U3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
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