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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL129JC0BFI9P3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 120/149頁 |
| 文件大小： | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFI9P3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁當(dāng)前第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁
120
Type 2 pSRAM
pSRAM_Type02_15A1 June 25, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Functional Description
Legend:
X = Don’t care (must be low or high state).
Absolute Maximum Ratings
Notes:
1.
Stresses greater than those listed under "
Absolute Maximum Ratings
" section may cause permanent damage to the device.
Functional operation should be restricted to be used under recommended operating condition. Exposure to absolute
maximum rating conditions longer than one second may affect reliability.
DC Recommended Operating Conditions
Notes:
1.
TA= -40 to 85°C, unless otherwise specified.
2.
Overshoot: V
CC
+ 1.0V in case of pulse width
≤
20ns.
3.
Undershoot: -1.0V in case of pulse width
≤
20ns.
4.
Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Mode
CS1#
CS2
OE#
W E#
LB#
UB#
I / O
1-8
I / O
9-16
Pow er
Deselected
H
X
X
X
X
X
High-Z
High-Z
Standby
Deselected
X
L
X
X
X
X
High-Z
High-Z
Standby
Deselected
X
X
X
X
H
H
High-Z
High-Z
Standby
Output Disabled
L
H
H
H
L
X
High-Z
High-Z
Active
Outputs Disabled
L
H
H
H
X
L
High-Z
High-Z
Active
Lower Byte Read
L
H
L
H
L
H
D
OUT
High-Z
Active
Upper Byte Read
L
H
L
H
H
L
High-Z
D
OUT
Active
Word Read
L
H
L
H
L
L
D
OUT
D
OUT
Active
Lower Byte Write
L
H
X
L
L
H
D
IN
High-Z
Active
Upper Byte Write
L
H
X
L
H
L
High-Z
D
IN
Active
Word Write
L
H
X
L
L
L
D
IN
D
IN
Active
Item
Symbol
Ratings
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
V
IN ,
V
OUT
-0.2 to V
CC
+ 0.3V
V
Voltage on V
CC
supply relative to V
SS
V
CC
-0.2 to 3.6V
V
Power Dissipation
P
D
1.0
W
Operating Temperature
T
A
-40 to 85
°C
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
V
CC
Power Supply Voltage
2.7
2.9
3.1
V
V
SS
Ground
0
0
0
V
IH
Input High Voltage
2.2
—
V
CC
+ 0.3 (Note 2)
V
IL
Input Low Voltage
-0.2 (Note 3)
—
0.6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS-J | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS256PD0HF3SR3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL2 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SR0 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71PL129JC0BFI9U0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9U2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9U3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
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