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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71PL129JC0BFI9P3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 117/149頁 |
| 文件大?。?/td> | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFI9P3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁當(dāng)前第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁
August 30, 2004 pSRAM_Type01_12_A1
pSRAM Type 1
117
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Low Power ICC Characteristics (32M)
Address Patterns for PAR (A3= 0, A4=1) (16M)
Address Patterns for RMS (A3 = 1, A4 = 1) (16M)
Low Power ICC Characteristics (16M)
Item
Symbol
Test
Array Partition
Typ
Max
Unit
PAR Mode Standby Current
I
PAR
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip Disabled, t
A
= 85
o
C
1/4 Array
75
μA
1/2 Array
90
μA
RMS Mode Standby Current I
RMSSB
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip Disabled, t
A
= 85
o
C
8Mb Device
75
μA
16Mb Device
90
μA
Deep Sleep Current
I
ZZ
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip in ZZ mode, t
A
= 85
o
C
10
μA
A2
A1
A0
Active Section
Address Space
Size
Density
0
1
1
One-quarter of die
00000h - 0FFFFh
256Kb x 16
4Mb
0
1
0
One-half of die
00000h - 7FFFFh
512Kb x 16
8Mb
x
0
0
Full die
00000h - FFFFFh
1Mb x 16
16Mb
1
1
1
One-quarter of die
C0000h - FFFFh
256Kb x 16
4Mb
1
1
0
One-half of die
80000h - 1FFFFFh
512Kb x 16
8Mb
A2
A1
A0
Active Section
Address Space
Size
Density
0
1
1
One-quarter of die
00000h - 0FFFFh
256Kb x 16
4Mb
0
1
0
One-half of die
00000h - 7FFFFh
512Kb x 16
8Mb
1
1
1
One-quarter of die
C0000h - FFFFFh
256Kb x 16
4Mb
1
1
0
One-half of die
80000h - FFFFFh
512Kb x 16
8Mb
Item
Symbol
Test
Array Partition
Typ
Max
Unit
PAR Mode Standby Current
I
PAR
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip Disabled, t
A
= 85
o
C
1/4 Array
65
μA
1/2 Array
80
RMS Mode Standby Current
I
RMSSB
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip Disabled, t
A
= 85
o
C
4Mb Device
65
μA
8Mb Device
80
Deep Sleep Current
I
ZZ
V
IN
= V
CC
or 0V,
Chip in ZZ# mode, t
A
= 85
o
C
10
μA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS-J | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS256PD0HF3SR3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL2 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SR0 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71PL129JC0BFI9U0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9U2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9U3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
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