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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71PL129JC0BFI9P3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 121/149頁(yè) |
| 文件大小： | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFI9P3 |
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June 25, 2004 pSRAM_Type02_15A1
Type 2 pSRAM
121
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Capacitance (Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Note:
This parameter is sampled periodically and is not 100% tested.
DC and Operating Characteristics
Common
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
—
8
pF
C
IO
Input/Output Capacitance
V
OUT
= 0V
—
10
pF
Item
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
CC
-1
—
1
μA
Output Leakage Current
I
LO
CS1#= V
IH
or CS2= V
IL
or OE#= V
IH
or WE#= V
IL
or
LB#= UB#= V
IH
, V
IO
= V
SS
to V
CC
-1
—
1
μA
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1mA
—
—
0.4
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -1.0mA
2.4
—
—
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS-J | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS256PD0HF3SR3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL2 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SR0 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S71PL129JC0BFI9U2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
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| S71PL129JC0BFI9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
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