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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL129JC0BFI9P3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 125/149頁 |
| 文件大?。?/td> | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JC0BFI9P3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁當(dāng)前第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁
June 25, 2004 pSRAM_Type02_15A1
Type 2 pSRAM
125
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics (Ta = -40°C to 85°C, V
CC
= 2.7 to 3.1 V)
Notes:
1.
t
WP
(min)= 70ns for continuous write operation over 50 times.
Symbol
Parameter
Speed Bins
Unit
70ns
Min
Max
R
t
RC
Read Cycle Time
70
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
70
ns
t
CO
Chip Select to Output
—
70
ns
t
OE
Output Enable to Valid Output
—
35
ns
t
BA
UB#, LB# Access Time
—
70
ns
t
LZ
Chip Select to Low-Z Output
10
—
ns
t
BLZ
UB#, LB# Enable to Low-Z Output
10
—
ns
t
OLZ
Output Enable to Low-Z Output
5
—
ns
t
HZ
Chip Disable to High-Z Output
0
25
ns
t
BHZ
UB#, LB# Disable to High-Z Output
0
25
ns
t
OHZ
Output Disable to High-Z Output
0
25
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
5
—
ns
t
PC
Page Cycle Time
25
—
ns
t
PA
Page Access Time
—
20
ns
W
t
WC
Write Cycle Time
70
—
ns
t
CW
Chip Select to End of Write
60
—
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
—
ns
t
AW
Address Valid to End of Write
60
—
ns
t
BW
UB#, LB# Valid to End of Write
60
—
ns
t
WP
Write Pulse Width
55 (Note 1)
—
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
—
ns
t
WHZ
Write to Output High-Z
0
25
ns
t
DW
Data to Write Time Overlap
30
—
ns
t
DH
Data Hold from Write Time
0
—
ns
t
OW
End Write to Output Low-Z
5
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS-J | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS256PD0HF3SR3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL2 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SL3 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS256PC0KF3SR0 | 1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71PL129JC0BFI9U0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9U2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9U3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| S71PL129JC0BFI9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
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