參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E169E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 9/53頁
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代理商： HB52E169E12
HB52E169E12-F
9
Minimum V
IH
Clamp Current (referred to V
CC
)
V
IH
(V)
V
CC
+ 2
V
CC
+ 1.8
V
CC
+ 1.6
V
CC
+ 1.4
V
CC
+ 1.2
V
CC
+ 1
V
CC
+ 0.8
V
CC
+ 0.6
V
CC
+ 0.4
V
CC
+ 0.2
V
CC
+ 0
I (mA)
10
8
5.5
3.5
1.5
0.3
0
0
0
0
0
V
IL
(V)
I
–1.5
–1
–0.5
–5
–15
–20
–10
–25
–30
–35
0
–2
0
V
IH
(V)
V
CC
+ 0
V
CC
+ 1
V
CC
+ 2
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 1.5
I
8
4
6
0
2
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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參數(shù)描述
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