參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E169E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 11/53頁(yè)
文件大小： 1737K
代理商： HB52E169E12
HB52E169E12-F
11
DC Characteristics (Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
2.4
2
1.8
1.65
1.5
1.4
1
0
–34
–59
–67
–73
–78
–81
–89
–93
–154
–197
–227
–248
–270
–285
–345
–503
Parameter
Operating current
(CE latency = 3)
(CE latency = 4)
Standby current in power down I
CC2P
Standby current in power down
(input signal stable)
Standby current in non power
down
Active standby current in power
down
Active standby current in non
power down
Symbol
HB52E169E12
-A6F/B6F
Min
Unit
Test conditions
Burst length = 1
t
RC
= min
Notes
1, 2, 3
Max
I
CC1
I
CC1
—
—
—
—
1770
1770
564
546
mA
mA
mA
mA
CKE = V
IL
, t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
6
7
I
CC2PS
I
CC2N
—
798
mA
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
= 12 ns
4
I
CC3P
—
582
mA
1, 2, 6
I
CC3N
—
870
mA
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
1, 2, 4
Vout (V)
I
OH
Min (mA)
I
OH
Max (mA)
I
O
Vout (V)
0
–100
–200
–300
–500
–600
–400
0.5
1
1.5
2
2.5
3
min
max
3.5
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E648EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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參數(shù)描述
HB52E169E1-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52E169EN-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52E328EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
HB52E328EM-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
HB52E329EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
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