參數(shù)資料
型號： HB52E169E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的注冊SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 49/53頁
文件大小： 1737K
代理商： HB52E169E12
HB52E169E12-F
49
Self Refresh Cycle
Clock Suspend Mode
$
High-Z
t
%
-
.
6
CK
CKE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
Din
Dout
$
,
1
a+1 a+2
a+3
b
b+1 b+2
b+3
High-Z
2
5
:
;
=
>
B
C
J
K
6
7
@
H
.
7
@
H
)
W
2
:
;
:
C
L
:
B
C
J
K
H
'
(
,
5
=
>
$
<
,-
G
P
Precharge command
If needed
Self refresh entry
command
Auto
refresh
Self refresh exit
ignore command
or No operation
G
Read
Active
suspend start
suspend end
CKE
O
P
'
"
(
#
0
+
1
,
7
@
H
I
(
N
start
end
Read
Active
O
H
P
N
O
CKE Low
A10=1
RC
t
RP
t
#
,
$
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 4
Burst length = 4
= V or V
,
S
4
5
=
>
E
F
M
N
#$
RE
,
4
5
<
=
E
F
M
N
Next
>
F
G
N
O
=
>
F
N
O
4
=
>
E
F
N
RC
Next
l
SREX
Self refresh entry
D
E
M
N
'
(
/
0
9
L
<
D
E
L
M
!
*
+
3
+
3
4
<
=
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
&
B
K
"
#
+
4
!
"
)
*
2
3
#
+
,
4
R:a
C:a
R:b
a
!
"
+
H
R:a
C:a R:b
C:b
B
PH
a
a+1 a+2
b
b+1 b+2 b+3
&
W
BA
"
#
+
H
M
C:b
C
K
L
Bank0
Active
Active clock
suspend start
Active clock
supend end
Bank0
Bank3
Active
Read suspend
Read suspend
Bank0
Precharge
Bank3
Earliest Bank3
Precharge
Bank0
Write
Bank0
Active clock
Active clock
Bank3
Write suspend
start
Write suspend
end
Bank3
Write
Bank0
Precharge
Earliest Bank3
Precharge
C
L
L
C
K
L
+
3
4
<
*
+
3
<
K
;
<
D
L
M
2
;
<
C
D
L
2
:
;
C
D
L
)
2
:
;
C
L
.
7
8
@
H
%
-
.
6
7
G%
.
6
7
H
7
8
@
H
I
'
/
0
8
&
'
/
8
%
&
/
.
6
7
@
H
&
'
/
%
&
a+3
High-Z
4
5
=
>
!
(
)
1
2
9
:
A
B
K
&
.
/
6
7
@
t
CES
t
CEH
t
CES
7
8
@
H
I
CKE
RE
S
CE
Address
DQMB
CK
BA
CE
Address
DQMB
Read cycle
RE
-
CE
delay = 2
CE
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
Write cycle
RE
-
CE
delay = 2
CE
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IH
IL
Dout
Din
Dout
Din
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E648EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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HB52E169E1-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
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HB52E328EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
HB52E328EM-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
HB52E329EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
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