參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E169E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 7/53頁(yè)
文件大?。?/td> 1737K
代理商： HB52E169E12
HB52E169E12-F
7
Block Diagram
C100 to C102
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ0 to DQ3
* D0 to D17: HM5264405
PLL: 2509
Register: 16835
U0: EEPROM
C0 to C18: 0.22
μ
F
C19 to C44: 2200 pF
C100 to C103: 12pF
R200 to R203: 10
R100: 47 k
R101: 10 k
C200 to C201: 2.2
μ
F
N0 to N17: Network register 10
V
CC
(D0 to D17, U0)
V
SS
(D0 to D17, U0)
Serial PD
SDA
WP
R100
A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
V
SS
V
SS
V
CC
SCL
U0
SDA
SCL
Notes:
1. The SDA pull-up resistor is required due to
the open-drain/open-collector output.
2. The SCL pull-up resistor is recommended
because of the normal SCL line inacitve
"high" state.
4
N0
C19 to C44
C200 to C201
C0 to C18
RS0
CS
D0
RDQMB0
I/O0
DQMB
DQ4 to DQ7
4
N1
CS
D1
I/O0
DQMB
DQ8 to DQ11
4
N2
CS
D2
RDQMB1
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ12 to DQ15
4
N3
CS
D3
I/O0
DQMB
CB0 to CB3
4
N4
CS
D4
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ32 to DQ35
4
N9
CS
D9
RDQMB4
I/O0
DQMB
DQ36 to DQ39
4
N10
CS
D10
I/O0
DQMB
DQ40 to DQ43
4
N11
CS
D11
RDQMB5
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ44 to DQ47
4
N12
CS
D12
I/O0
DQMB
CB4 to CB7
4
N13
CS
D13
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ16 to DQ19
4
N5
RS2
CS
D5
RDQMB2
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ20 to DQ23
4
N6
CS
D6
I/O0
DQMB
DQ24 to DQ27
4
N7
CS
D7
RDQMB3
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ28 to DQ31
4
N8
CS
D8
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ48 to DQ51
4
N14
CS
D14
RDQMB6
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ52 to DQ55
4
N15
CS
D15
I/O0
DQMB
DQ56 to DQ59
4
N16
CS
D16
RDQMB7
I/O0
to I/O3
DQMB
DQ60 to DQ63
4
N17
CS
D17
S0
,
S2
DQMB0 to DQMB7
BA0 to BA1
A0 to A11
RE
CE
CKE0
W
RS0
,
RS2
RDQMB0 to RDQMB7
RBA0 to RBA1 -> BA0 to BA1: SDRAMs D0 to D17
RA0 to RA11 -> A0 to A11: SDRAMs D0 to D17
RRAS
->
RAS
: SDRAMs D0 to D17
CCAS
->
CAS
: SDRAMs D0 to D17
RCKE0 -> CKE: SDRAMs D0 to D17
RW
->
WE
: SDRAMs D0 to D17
R101
V
CC
R
E
G
I
S
T
E
R
REGE
PLL CK
R200
PLL
CK0
R201 to R203
V
SS
CK1 to CK3
C103
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E648EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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參數(shù)描述
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HB52E169EN-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52E328EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
HB52E328EM-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
HB52E329EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
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