- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄223868 > H5MS5162DFR-K3M (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | H5MS5162DFR-K3M |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 1/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 1314K |
| 代理商： | H5MS5162DFR-K3M |
當(dāng)前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 1.3 / Apr. 2009
1
512Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x16 I/O
Specification of
512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
Memory Cell Array
- Organized as 4banks of 8,388,608 x16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H6101NL | DATACOM TRANSFORMER FOR GENERAL PURPOSE APPLICATION(S) |
| H6E1PC03130001 | 105 CONTACT(S), MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, CRIMP, PLUG |
| H6E1PX03130001 | 105 CONTACT(S), MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, PLUG |
| H6E2PC03130001 | MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, CRIMP, PLUG |
| H6E2PX03130001 | MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| H5MS5162DFR-L3M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb (32Mx16bit) Mobile DDR SDRAM |
| H5MS5162EFR | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:536,870,912-bit CMOS Low Power Double Data Rate Synchronous DRAM (Mobile DDR SDRAM) |
| H5MS5162EFR-J3M | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM MOBILE DDR 512MB (X16) 60FBGA 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, MOBILE DDR, 512MB (X16), 60FBGA 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, MOBILE DDR, 512MB (X16), 60FBGA, Memory Type:DRAM - Synchronous, Memory C 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, MOBILE DDR, 512MB (X16), 60FBGA, Memory Type:DRAM - Synchronous, Memory Configuration:32M x 16, Memory Case Style:FBGA, No. of Pins:60, IC Interface Type:LVCMOS, Operating Temperature Min:-30C, Operating Temperature Max:85C, , RoHS Compliant: Yes |
| H5MS5162FFR-E3M | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| H5N1503P | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。