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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SIS5595 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Pentium PCI System I/O Chipset |
| 中文描述： | 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 79/216頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2208K |
| 代理商： | SIS5595 |
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 73 Silicon Integrated Systems Corporation
4.5
RTC
SiS5595
PIN NO.
21
NAME
TYPE
ATTR
I
DESCRIPTION
OSC32KHI/
IRQ8#
32.768 KHz Input:
When internal RTC is enabled, this pin provides the
32.768 KHz clock signal from external crystal or
oscillator.
Interrupt Request 8:
When external RTC is enabled, this pin is used as
IRQ8#.
32.768 KHz Output:
When internal RTC is enabled, this pin should be
connected the other end of the 32.768 KHz crystal or
left unconnected if an oscillator is used.
RTC Chip Select:
When external RTC is enabled, this pin is used as
the chip select signal for the external RTC.
Power Good:
A high-level input to this signal indicates the power
being supplied to the system is in stable operating
state. During the period of PWRGD being low,
CPURST and PCIRST# will all be asserted until after
PWRGD goes to high for 1~2 ms.
RTC Power Strobe:
When the internal RTC is enabled, this signal is used
as the power strobe signal to initialize RTC internal
registers when power is first applied to the system. If
the internal RTC is disabled, this signal should be
tied low.
ATX Power ON/OFF control:
PS_ON# is internally powered by RTCVDD and is
used to control the on/off state of the ATX power
supply. When the ATX power supply is in the OFF
state, several power management events can be
defined to generate a low output on this signal and
hence switch the power supply to ON state. These
events are PWRBT #, RING, PME0 #, PME1 #, RTC
alarm, keyboard password matched and hotkey
being pressed.
RTC Address Latch Enabled:
When external RTC is used, this signal can be used
to latch the address of RTC internal register being
accessed on the ISA SD [7:0] data bus.
20
OSC32KH
O/RTCCS#
O
18
PWRGD
I
23
PSRSTB#
I
25
PS_ON#/
RTCALE
OD
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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