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參數(shù)資料
| 型號： | SIS5595 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Pentium PCI System I/O Chipset |
| 中文描述： | 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 51/216頁 |
| 文件大小： | 2208K |
| 代理商： | SIS5595 |
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 45 Silicon Integrated Systems Corporation
3.7.1 APC REGISTERS
The APC registers are provided to support the Auto Power Control Function. The register
02h defines the “Day of the Week Power Up” setting byte. The 03h, 04h, 05h, 06h, 07h, and
08h registers contain the control information for the Automatic Power Control functions.
Table 3.7-1 Address Map of the APC Control Registers shows the address map of the APC
registers.
Table 3.7-1 Address Map of the APC Control Registers
ADDRESS
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
08h
REGISGER NAME
Reserved
Reserved
APC Register 02h
APC Register 03h
APC Register 04h
APC Register 05h
APC Register 06h
APC Register 07h
APC Register 08h
3.7.2 APC FUNCTIONS
Let us take the following power up/down sequence as an example to illustrate the APC
functions. Figure 3.7-1 Typical Timing Sequence on the Power Control Related Signals
shows the typical timing sequence of the power control related signals.
RTCVDD
PSRSTB#
AUX5V
VDD5V
PWRGD
PS_ON#
Figure 3.7-1 Typical Timing Sequence on the Power Control Related Signals
3.7.2.1 APC Power Source Connection Requirement
The PSRSTB# is traditionally used to convey the battery life status to the RTC module. In
SiS core based system, the signal is also used to determine if the internal RTC is to be used.
A logic high on PSRSTB# inform SiS5595 that the internal RTC is selected.
Since the RTC must continue to count the time when the system power is removed, a
conversion from the system power to an alternate power supply, usually a battery, must be
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參數(shù)描述 |
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| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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