- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373399 > SIS5595 (Electronic Theatre Controls, Inc.) Pentium PCI System I/O Chipset PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SIS5595 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Pentium PCI System I/O Chipset |
| 中文描述： | 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 34/216頁 |
| 文件大小： | 2208K |
| 代理商： | SIS5595 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁當前第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁
SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 28 Silicon Integrated Systems Corporation
3.2.1.2 Generic Features
Generic Features in SiS5595 offers a variety of additional events such as USB event,
GP_TMR event, EXT_SMI# event, Hotkey event, Ring event, Data Acquisition Module event,
and GPIO events. These events are all categorized as ACPI events. Hence, they can either
generate SCI or SMI# in the working state or serve as the wake-up events in the sleeping
state.
Wake up IRQ (IRQ_WK) Event
IRQ_WK event is one of GPE Bank event. A status bit located in ACPI register 14h bit 31 is
set when IRQ_WK is asserted if its enable bit locating in ACPI Reg.18h bit 31 is set. Note
that IRQ_WK only generates wake-up event in S1 or S2 State. It cannot generate SCI or
SMI#. To correctly function, additional registers are to be programmed:
1) Specify IRQ Enable in PMU Configuration Space 68~69h,
2) Mask other wake-up source in PMU Configuration in PMU Configuration Space
50~53h
.
Besides, the IRQ_WK (internal signal) is also used to exit CPU Power State from C2 or C3.
General Purpose Timer (GP_TMR) Event
General-purpose timer is an 8 bits down counter. Its resolution is 1us or 1 min. General-
purpose timer can be programmed as Suspend timer or BIOS Timer (ACPI: 1Ch[7]). Loading
values into the counter values initiates the counting immediately. If there is not any reload
events (PMU Configuration Register: 40h-43h) detected during counting down period, the
timer will expire with the result of generating a power management event (SCI, SMI#, or
wake up event). Suspend timer is functionally similar to System Standby Timer. However,
expiration of Suspend Timer can assert SCI or SMI# but expiration of System Standby Timer
can only assert SMI#.
GP_TMR Event
GP_TMR
Enable(18h.29)
GP_TMR
Status(14h.29)
8bit down counter
Select suspend
timer(2Ah.7=1)
SCI_EN=0
start(write 1Fh)
Select Clock(2Ah.8)
GP_TMR[0-7](1Fh)
PMU Stop events
(in PMU space 40h)
GPIOs Stop events
(in ACPI space 2Eh)
8 bits
Figure 3.2-10 General Purpose Timer Logic
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS85 | SMT Power Inductor |
| SIS85-100 | SMT Power Inductor |
| SIS85-101 | SMT Power Inductor |
| SIS85-102 | SMT Power Inductor |
| SIS85-150 | SMT Power Inductor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。