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參數(shù)資料
| 型號： | SIS5595 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Pentium PCI System I/O Chipset |
| 中文描述： | 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 77/216頁 |
| 文件大?。?/td> | 2208K |
| 代理商： | SIS5595 |
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 71 Silicon Integrated Systems Corporation
129
EXTSMI#
I
External SMI#:
EXTSMI# can be configured to generate a SMI#/SCI
event, a Wakeup event or a Standby Timer reload
event to the ACPI-compatible power management
unit.
14.318 MHz clock input:
This signal provides the fundamental clock for the
8254-compatible timer, PMU System Standby Timer,
ACPI Timer and BCLK.
Keyboard or System ROM Chip Select:
ROMKBCS# will be asserted during external
keyboard controller or ROM access cycles.
Speaker output:
The SPKR is connected to the system speaker.
SMBus/I
2
C Bus Data:
An external pull-up resister tied to 3.3V is required.
SMBus/I
2
C Bus Clock:
An external pull-up resister tied to 3.3V is required.
General Purpose Input/Output 7:
As input, GPIO7 can be configured to generate a
SMI#/SCI event, a Wakeup event or a Standby
Timer reload event to the ACPI-compatible power
management unit. As output, its output logic state
can be controlled via a register bit.
USB Over Current Detection:
OC0# is used to detect the over current condition.
USB Power Switch:
PPS function is used to control the external Power-
Distribution Switches logic to power off the USB
power supply lines.
General Purpose Input/Output 8:
As input, GPIO8 can be configured to generate a
SMI#/SCI event, a Wakeup event or a Standby
Timer reload event to the ACPI-compatible power
management unit. As output, its output logic state
can be controlled via a register bit.
USB Over Current Detection:
OC1# is used to detect the over current condition.
35
CLK14M
I
36
ROMKBCS#
O
37
SPKR
O
41
DDCDAT
OD
42
DDCCLK
OD
122
GPIO7/
OC0#/
PPS
I/O
124
GPIO8/
OC1#
I/O
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS85 | SMT Power Inductor |
| SIS85-100 | SMT Power Inductor |
| SIS85-101 | SMT Power Inductor |
| SIS85-102 | SMT Power Inductor |
| SIS85-150 | SMT Power Inductor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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